触发二极管的正负伏安特性几乎完全对称。当施加在器件上的电压U低于正向转换电压V(B0)时,器件处于高阻抗状态。
当U& gt; V(B0),管突破并进入负阻区。类似地,当U大于反向拐角电压V(BR)时,管也可以进入负阻区。
转换电压的对称性由ΔV(B)表示。 ΔV(B)= V(B0)-V(BR)。
通常ΔV(B)应小于2伏。触发二极管的正向转角电压通常具有三个电平:20-60V,100-150V和200-250V。
由于转角电压大于20V,您可以使用万用表来阻断正向和反向双向二极管。手不应该移动(RX10k),但它并不完全确定它是好的。
检测其质量并提供直流电压高于250V的电源。检测期间通过管的电流不应大于5mA。
使用晶体管耐压测试仪非常方便。如果没有,兆欧表可用于测量,如图6所示(正向和反向),电压一旦V(BR)就大。
例如:测量DB3二极管,第一次是27.5V,然后测量回到28V,则△V(B)= V(B0)-V(BR)= 28V-27.5V = 0.5V< 2V,表明管子非常对称。
(1)测量断路电压触发二极管的触发电压可以通过三种方式测量:1)将兆欧表的正极(E)和负极(L)连接到双向的两端触发二极管,并用兆欧表提供罢工。
当施加电压时,通过万用表的DC电压测量电压值,并再次调整和测量双向触发二极管的两个极。比较两次测量的电压值的偏差(通常为3~6V)。
偏差越小,该二极管的性能越好。 2)使用0~50V连续可调直流电源,将电源正极连接到20kΩ电阻,并将其连接到双向触发二极管的一端。
将电源负极连接到万用表电流(连接到1mA)。然后将其连接到双向触发二极管的另一端。
逐渐增加电源电压。当电流表指针具有显着摆动(数十微安或更高)时,双向触发二极管导通。
此时,电源的电压值是双向触发二极管的转换电压。 3)首先用万用表测量电源电压U,然后将测得的双向触发二极管连接到万用表的交流电压测量回路,连接到电源电压,读取电压值U1,然后连接双极触发二极管的两极。
之后,读取电压值U2。如果U1和U2的电压值相同但不同于U的电压值,则双向触发二极管的导通性能良好。
如果U1和U2的电压值差别很大,则双向触发二极管的导通连续性是不对称的。如果U1和U2的电压值与电源U相同,则表示双向触发二极管内部已短路。
如果U1和U2的电压值均为0V,则双向触发二极管的开路损坏。 (2)正负电阻值的测量双向触发二极管的正向和反向电阻值用万用表R×1k或R×10k测量。
通常,正向和反向电阻值应为无穷大。如果测量的正电阻值和负电阻值很小或为0,则二极管已经突破。
触发二极管是P型和N型半导体半导体PN结,在两侧形成界面空间电荷层,并构建自建电场。当施加的电压不存在时,它是由PN结两侧载流子浓度差异引起的扩散电流和自建电流引起的,同时漂移并处于平衡状态。
当外界具有正偏压时,外部电场和电场相互自抑制,消除了载流子从电流正向电流增加的电流。当外部世界反向偏置时,外部电场和电场通过自构造进一步加强,在某种形式的反向电压和反向偏置电压值与反向饱和电流i0无关。
当在一定程度上施加反向电压时,PN结的空间电荷层的临界电场强度值在载流子倍增期间倍增,并且大量电子空穴对具有相当大量的反向击穿电流。触发二极管由硅NPN的三层结构组成,它是对称的半导体二极管器件,可以相当于开路集电极 - 发射极和对称NPN半导体晶体管。
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